杭州芯聚半导体有限公司申请的“一种Micro – LED ISO垂直角刻蚀方法”专利展开，介绍了专利的公开信息、具体步骤及优势，还提及了该公司的基本情况。
在2025年3月22日金融界发布的消息中，国家知识产权局的相关信息显示，杭州芯聚半导体有限公司申请了一项极具价值的专利，专利名称为“一种Micro – LED ISO垂直角刻蚀方法”，其公开号为CN 119653935 A，申请日期追溯到2024年12月。
从专利摘要中我们可以了解到，此发明聚焦于Micro – LED显示技术领域，开创性地公开了一种Micro – LED ISO垂直角刻蚀方法。该方法主要包含以下几个关键步骤：
步骤一：外延层生长控制。首先提供蓝宝石衬底作为基板，在基板上精心生长外延层结构。与此同时，借助PECV设备在基板上生长一定厚度的氧化硅，将其作为保护层，为后续的刻蚀过程奠定基础。
步骤二：光刻图形化。选用正性光刻胶，通过匀胶机均匀地涂覆在保护层表面。之后，经过光刻与显影等一系列精细操作，制作出ISO侧壁需要刻蚀的图形，为精确刻蚀做好准备。
步骤三：金属镀膜与图形化。这一步骤虽然未详细展开，但在整个刻蚀方法中起着不可或缺的作用，它进一步完善了刻蚀的前期准备工作。
步骤四：干法刻蚀外延。通过特定的干法刻蚀技术，对外延层进行刻蚀操作，这是实现垂直角刻蚀的重要环节。
步骤五：去除保护层。通过湿法刻蚀或者干法刻蚀的方式去除外延保护层，最终得到角度趋近垂直的ISO侧壁外延。这种独特的刻蚀方法带来了诸多显著的优势，不仅减少了Micro – LED的发光面积损失，提高了光的出射效率，还为芯片的Pitch缩小创造了有利条件。同时，降低了后续激光剥离过程中造成芯片破裂的风险，大大提高了芯片制造的成品率和稳定性。
根据天眼查资料，杭州芯聚半导体有限公司成立于2024年，公司坐落于杭州市。这是一家主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业，企业注册资本达到7328万人民币。通过天眼查的大数据分析可知，该公司共对外投资了1家企业，拥有2条专利信息，展现出了一定的创新实力和发展潜力。
杭州芯聚半导体有限公司申请的“一种Micro – LED ISO垂直角刻蚀方法”专利，包括专利的公开信息、具体刻蚀步骤及优势，还阐述了公司的基本情况，体现了该公司在Micro – LED显示技术领域的创新能力和发展潜力。
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